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BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子,繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感,從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關(guān)速度并降低開關(guān)能量。主要規(guī)格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5國產(chǎn)替代,AIKW50N65RF5國產(chǎn)替代),BGH50N65HS1 (IKW50N65SS5國產(chǎn)替代),BGH50N65ZF1 (IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5國產(chǎn)替代),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5國產(chǎn)替代),BGH75N65HS1 (IKW75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH40N120HF(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7國產(chǎn)替代),BGH75N120HS (IKQ75N120CH3國產(chǎn)替代,IKQ75N120CS6國產(chǎn)替代,)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應(yīng)用包括:戶用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管,戶用光伏逆變器,組串光伏逆變器,戶用儲能逆變器,雙向變流器,雙向逆變器,車載充電機(OBC)、ESS儲能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS),以及服務(wù)器和電信用開關(guān)電源 (SMPS) ,基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低,適用于車載電源充電機(OBC)、通信電源、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、儲能等領(lǐng)域。
高效逆變器用 HERIC 電路和相關(guān)工藝可用于單相逆變器,該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關(guān)管進行續(xù)流,以達到續(xù)流階段電網(wǎng)與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內(nèi)(如屋頂光伏系統(tǒng)),其基于傳統(tǒng)H4電路上在交流側(cè)加入旁路功能的第五、六開關(guān)。其有效隔離了零電平時候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無功交換,提升系統(tǒng)效率,且降低寄生電容上的電壓高頻分量,消除漏電流,通過利用BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的開關(guān)損耗低特性,單相HERIC電路中,用單一器件BASiC基本半導(dǎo)體650V混合SiC-IGBT單管可以有效降低高頻管的損耗,顯著降低器件的工作結(jié)溫,提升系統(tǒng)效率,BASiC基本半導(dǎo)體650V混合SiC-IGBT單管繼承了經(jīng)典的TO247封裝,客戶可以在不變更PCB和電路情況下,對老的產(chǎn)品進行直接替換,從而在最短時間內(nèi)達到系統(tǒng)效率的提升和增加開關(guān)頻率的目的。同時,由于器件帶來系統(tǒng)損耗減少的優(yōu)勢,可以降低散熱設(shè)計要求和成本;開關(guān)頻率提升可以有效降低并網(wǎng)電感的尺寸和大小,減少電流諧波對電網(wǎng)的污染。HERIC電路設(shè)計的拓撲結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)高達99%超高轉(zhuǎn)化效率,同時將EMI保持在較低的水平。除了具有更高的能量輸出的優(yōu)點外,這種拓撲結(jié)構(gòu)還降低了部件的熱應(yīng)力,因而散熱器可以設(shè)計得更小,使用壽命卻更長。行業(yè)普遍認(rèn)為到目前為止,這是戶用光伏逆變器儲能變流器PCS設(shè)備中最好的設(shè)計。
BASiC基本半導(dǎo)體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管,基本SiC二極管極小Qrr,有效降低對管IGBT開通損耗,且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低,IGBT開通損耗隨溫度的影響很小,降低EMI,廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊,移動儲能逆變器功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。
BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具備開關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗,以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲,如LLC和ZVS,廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊等,可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動器進行驅(qū)動。由于能在高開關(guān)頻率下帶來高效率,從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度,并確保高可靠性,延長使用壽命。
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H,B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三電平SiC-IGBT模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,三電平IGBT模塊,光儲一體機混合IGBT器件
BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點,采用JBS結(jié)構(gòu),優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度,減薄N+襯底層,使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC,可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
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